Samsung
Memoria RAM Samsung de 4 GB DDR3 SO-DIMM (1600 MHz, CL11, 204 pines)
El módulo de memoria Samsung M471B5173QH0-YK0 es un módulo SO-DIMM DDR3 de 4 GB de alto rendimiento. Con una velocidad de 1600 MHz y una baja latencia CL11, garantiza la transferencia rápida de datos y el rendimiento eficiente del sistema. Compatible con varios portátiles, este módulo de memoria no buferizado ofrece un rendimiento fiable.
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Actualizado el 1 de julio de 2026
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