Samsung
Module mémoire Samsung DDR4 4 Go (2666 MHz, PC4-21300, CL19, 1,2 V, à tampon non ECC)
Augmentez les performances de votre système avec ce module mémoire Samsung DDR4 haute vitesse. D'une capacité de 4 Go et d'une fréquence de 2666 MHz (PC4-21300), il offre une mémoire fiable et à faible latence pour les applications exigeantes. Avec ses 288 broches et sa tension de 1,2 V, ce module mémoire non ECC à tampon est conçu pour la stabilité et l'efficacité.
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Mis à jour le 15 juin 2026
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