Samsung

Module Samsung DDR 512 Mo (184 broches, 400 MHz / PC3200, CL3, 2,6 V, tamponné, non ECC)

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Améliorez les performances de votre système avec ce module DDR Samsung de 512 Mo. Conçu pour une vitesse et une stabilité fiables, il intègre une fréquence robuste de 400 MHz/PC3200, une latence CL3 et un fonctionnement à 2,6 V. Cette mémoire non ECC est optimisée pour les tâches informatiques exigeantes sans retards liés au tampon.

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EAN: 5907176156614

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Mis à jour le 7 juillet 2026