Samsung
Memoria RAM Samsung de 8 GB (M378A1G44AB0-CWE, PC4-25600, 3200 MHz, CL17)
Módulo de memoria RAM Samsung de 8 GB. Tipo: DIMM DDR4, tipo de bus: PC4-25600, frecuencia: 3200 MHz, latencia: CL17, voltaje: 1,2 V. No amortiguado, probado y reconstruido en nuestro taller situado en Francia.
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