Samsung
Módulo Samsung DDR 512 MB (184 pines, 400 MHz/PC3200, CL3, 2.6 V, sin buffer, no ECC)
Aumenta el rendimiento de tu sistema con este módulo DDR de Samsung de 512 MB. Diseñado para una velocidad y estabilidad confiables, cuenta con una frecuencia robusta de 400 MHz/PC3200, latencia CL3 y funcionamiento a 2,6 V. Esta memoria no ECC está optimizada para tareas informáticas de alto rendimiento sin demoras por búfer.
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Actualizado el 18 de mayo de 2026
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