Samsung
Module Samsung DDR 512 Mo (184 broches, 400 MHz / PC3200, CL3, 2,6 V, tamponné, non ECC)
Améliorez les performances de votre système avec ce module DDR Samsung de 512 Mo. Conçu pour une vitesse et une stabilité fiables, il intègre une fréquence robuste de 400 MHz/PC3200, une latence CL3 et un fonctionnement à 2,6 V. Cette mémoire non ECC est optimisée pour les tâches informatiques exigeantes sans retards liés au tampon.
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Mis à jour le 18 mai 2026
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